VBZFB40N06效应VBsemiMOS
VBZFB60N03效应VBsemi110A
VBZFB40N03效应VBsemiMOS
VBZFB30N06效应VBsemiMOS
VBZFB50N03效应VBsemiMOS
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VBZFB12P10效应VBsemi100V
VBZFB20N06效应VBsemiMOS
VBZFB70N03效应VBsemi100A
封装VBZFB30N06原装效应
封装VBZFB20P06原装效应
封装VBZFB60N03原装效应
封装VBZFB40P06原装效应
封装VBZFB50N03原装效应
封装VBZFB40N06原装效应
封装VBZFB10N20原装效应
封装VBZFB40N03原装效应
封装VBZFB15N10原装效应
封装VBZFB12P10原装效应
封装VBZFB40P04原装效应
封装VBZFB06N02原装效应
封装VBZFB50N06原装效应
封装VBZFB40N10原装效应
沟道耐压电流VBZFB15N10
沟道耐压电流VBZFB50N06
沟道耐压电流VBZFB10N20
沟道耐压电流VBZFB70N03
沟道耐压电流VBZFB06N02
沟道耐压电流VBZFB40N03
沟道耐压电流VBZFB40P06
沟道耐压电流VBZFB80N03
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沟道耐压电流VBZFB20N06
沟道耐压电流VBZFB60N03
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